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12/15(木) 15:00 - 16:30 STS 先端デバイス・プロセス セッション

12 /15(木)
STS

STS 先端デバイス・プロセス セッション

先端デバイスの現状と将来の展望
12/15(木) 15:00 - 16:30
会場:東京ビッグサイト 会議棟607+608 および オンライン(Zoom)
参加費 *どちらも税込
  SEMI会員 6,600円(事前予約割引 *12/9(金)まで。以降一般価格案内)
         一般 13,200円

*講演資料ダウンロードつき
*Zoom視聴URLつき

概要

モバイル・IOT機器・HPC・Automotiveの高性能化の為に、ロジック・メモリ・イメージセンサデバイスの開発が続けられています。これら最先端デバイス技術を把握する事が、デバイスを使う機器、デバイス自体、デバイスを製造する装置市場において重要です。本セッションでは、第一線の技術者により最新技術動向・開発結果を紹介して頂きます。


セッションチェア:
アクセリス・テクノロジー 中島良樹、荏原製作所 南部勇雄、ルネサスエレクトロニクス 松浦正純、SCREENセミコンダクターソリューションズ 中川真一、ソシオネクスト 三谷純一、ソニーセミコンダクタソリューションズ 岩元勇人

プログラムアジェンダ

15:00 - 15:30

3次元積層技術によるイメージセンサのアーキテクチャーの進化

大池 祐輔
ソニーセミコンダクタソリューションズ
第1研究部門
部門長

電子の眼ともいわれるイメージセンサーは,その技術進化によってカメラの性能を飛躍的に向上させて,私たちの現在の生活に欠かせないデバイスとなった.スマートフォン普及による小型・高機能化のニーズに応えたイメージセンサーの3次元積層技術とアーキテクチャーの変遷,さらに画素並列回路アーキテクチャーへの進化の可能性と今後の動向を紹介する.

15:30 - 16:00

3D不揮発メモリの主要デバイス技術と課題

齋藤 真澄
キオクシア
メモリ技術研究所
グループ長

3D不揮発メモリの主要デバイス技術と課題について解説する。本講演ではメモリセルを多数積層することを”3D”と定義するが、不揮発メモリの高密度化・低コスト化を実現すべく、3Dメモリ技術は現在幅広く開発されている。3D不揮発メモリの代表例である3Dフラッシュメモリに加え、抵抗変化メモリ(ReRAM)、相変化メモリ(PCM)、強誘電メモリなど、3D構造に適用可能な新規メモリ(emerging memory)についても解説する。

16:00 - 16:30

最先端ロジックデバイスに見るスケーリングトレンドと今後の動向

福崎 勇三
テックインサイツ
テクノロジオフィス
シニアテクノロジフェロー、ロジック領域エキスパート

近年、先端ロジックデバイスのスケーリングは配線ピッチの単純な縮小のみでは対応できず、DTCOと呼ばれる設計協調やSTCOと呼ばれる3Dインターコネクト技術との融合がポイントだと言われています。本講演ではこれまで先端製品解析で見られたトレンドと今後の動向を解説します。

17:00 - 18:00

先端デバイス・プロセス& 先端材料・分析GETOGETHER

ネットワーキングパーティー
会議棟 8階 アルポルトにて

ドリンク・軽食をお楽しみながら、講演者や参加者の皆さま、関連ご出展企業との交流を深めて頂けます。セッションをご聴講の方は、そのまま会議棟8階までお越しください。GETOGETHERのみご参加の場合は、お時間になりましたら直接会場までお越しください。
*入場の為に、事前登録は不要ですが、来場バッジが必要です。

パンフレット(PDF)はこちら