Dec.11_12:00_STS先端リソグラフィセッション

Computing demands continue to scale at rapid rates driving both 2D and 3D scaling. To meet 2D scaling, EUV lithography continues to evolve with improving productivity (reducing cost per wafer), variability control (improving wafer power and performance), and improving usable resolution. 0.33NA EUV is in high-volume production at many sites around the world. 0.55NA EUV is now entering low-volume production, and an opportunity for higher NA exists. Simultaneously, 3D scaling drives additional demands from wafer bonding and chip stacking that are addressed by a holistic lithography solution.

東京エレクトロンが進めているHigh NA EUV Lithographyに対する課題（Stochastic、生産性、ラフネス改善など）に対する開発活動、開発成果を発表し、塗布・現像技術、成膜、加工技術を用いたソリューションを報告する。

半導体の高性能化・高集積化を支えるEUVリソグラフィは、High-NA EUVの導入により新たな発展段階を迎えている。本講演では、TOKが開発を進める先端レジスト技術に焦点を当て、高感度・高解像・低欠陥化に向けた最新の開発動向を紹介するとともに、High-NA EUV時代を見据えた技術の将来展望について述べる。

先端露光プロセスで求められるさらなるウェーハ平坦度向上に向け、ナノインプリントリソグラフィ技術を活用したIAP（Inkjet-based Adaptive Planarization）装置を開発中である。本講演では、高平坦化を実現する技術コンセプト、評価結果、および量産装置開発の進捗について報告する。

1. Xナノメートル世代向け半導体製造において適用が検討されているHigh-NA（NA=0.55）EUVリソグラフィー用EUVマスクの現状と今後の技術展望について、マスク材料および製造プロセスの観点から論じる。さらに、次世代技術として検討されているラージマスク（基板サイズ変更）に関し、その実現に向けた技術的課題について議論する。

CNTペリクルは高いEUV透過率と優れた熱特性を有し、次世代EUV露光向けの有力候補である。三井化学は量産対応を進めるとともに、欠陥低減、寿命向上、キャップ付きCNT膜の大型化を達成した。実サイズ膜では高い透過率均一性とプラズマ耐久性を確認し、高出力EUVへの適用に向けた実用化を推進している。

EUVリソグラフィーの現状と、High-NA EUVの進展と課題を整理する。さらに、Hyper-NA、短波長EUV（Blue-X等）、FELなどの次世代候補を比較し、アカデミアの視点から長期的な展望を紹介するとともに、これらに向けた兵庫県立大学・ニュースバル放射光施設での取り組みも紹介する。

ドリンク・軽食をお楽しみながら、講演者や参加者の皆さま、関連出展企業との交流を深めていただけます。 本セッションご登録者の方であれば、どなたでもご参加いただけます。お時間になりましたら来場者バッジをご持参のうえ、直接会場へお越しください。