Dec.10_12:00_STS先端デバイス・プロセスセッション

2nmナノシートをはじめとする先端ロジックデバイスの技術進化と今後の方向性を概観する。ロジックの微細化だけでなく、設計・製造協調や新たな開発・製造モデルを通じた価値創造の可能性と、次世代半導体競争における差別化についても考察する。

生成AIの進化に伴い、従来のMemory Wallに加え、大規模モデルやコンテキスト長の拡大に起因するCapacity Wallが重要な課題となっている。本講演では、これらの課題に対応するメモリ・ストレージ技術の動向について、システム、デバイスおよびチップ技術の観点から整理し、特にNANDストレージ技術の役割と今後の技術方向性について議論する。

AIの発展を背景に、デバイスの微細化、3次元化、ヘテロジニアス集積を軸としたデバイスアーキテクチャの革新が加速している。本講演では、先端デバイスの進化と将来展望を俯瞰するとともに、その実現を支える成膜技術の最新動向について解説する。さらに、半導体製造装置サプライヤーの視点から、薄膜形成技術の適用事例と今後の技術課題について紹介する。

イメージセンサーは、裏面照射、積層化、Cu-Cu接続などのデバイス技術革新を通じて、高性能化・高機能化を進めてきた。本講演では、その進化の背景と技術的価値を解説するとともに、ToF、SWIR、EVSなどへのセンシング領域の拡張、AI融合による知能化、さらにSensor Fusion Systemなどを見据えた将来展望について紹介する。

本講演では、先端半導体製造におけるAIおよび計算科学の活用について概説し、欠陥分類、歩留まり監視、ならびにDry、CVD、Wetプロセスの最適化に焦点を当てる。さらに、3次元フラッシュメモリ製造におけるリン酸エッチングの事例を取り上げ、数値流体力学（CFD）と多目的ベイズ最適化を組み合わせた最適プロセス条件の導出について紹介する。

ドリンク・軽食をお楽しみながら、講演者や参加者の皆さま、関連出展企業との交流を深めていただけます。 本セッションご登録者の方であれば、どなたでもご参加いただけます。お時間になりましたら来場者バッジをご持参のうえ、直接会場へお越しください。