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経済安全保障環境が不確実性を増している中で半導体はその重要性を一層高めています。我が国においても,半導体の復活に向けて研究開発の加速,生産拠点の整備,人材育成の強化など産学官一体となった取り組みを進めてきており,国内ファンダリの量産開始や,2nm先端トランジスタの国内試作が成功するなどの成果も出ています。本シンポジウムでは,我が国における半導体強化の現状と進展を共有するとともに持続可能な成長に向けた今後の道筋を探ります。
※プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
概要文が入ります。
近い未来は、edgeAIデバイスの実現により、どこでもAIが実装される世界が実現する。 その為の弊社事業における課題を考えながら、課題解決への取り組みを紹介する。
SiC MOSFETの量産が始まった2010年以降、従来のSi IGBTに代わり、電気自動車・鉄道・再生可能エネルギ発電・AIサーバーへのSiCパワー半導体の導入が進み、パワーエレクトロニクスの新時代が開かれた。 Si、SiC、GaNパワー半導体、それぞれに適したアプリケーションが存在し、協調し合いながら「パワー半導体エコシステム」が形成されていくと予測しているが、この領域でのロームの半導体戦略をご紹介する。
共創型化学企業を目指すレゾナックは、材料・基板・装置メーカーと共同で評価プラットフォーム「JOINT2」を設置し、次世代2.5D/2.xDパッケージの技術開発を推進してきた。さらに2025年には、インターポーザー大型化とフルインテグレーション評価を実現する新たな共創プラットフォーム「JOINT3」を立ち上げた。本講演では、レゾナックの共創戦略の概要を紹介する。
東北大学の機械知能・航空工学科は、TSV、積層DRAM、Chip-to-Wafer三次元集積など、現在の生成AIを支える集積化技術の基盤を「研究第一」、「実学尊重」の精神のもと世界に先駆けて提案・実証してきた。我々は、半導体中工程やチップレット集積といった先端半導体後工程を先導し、「門戸開放」(オープンイノベーション)を推進しながら最高峰の国際会議等でその存在感を示している。本講演では、この技術進化の軌跡と、最新の活動を含めた新産業創出への展望をご紹介する。
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