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ロジック半導体では2nm世代からGAA構造が本格適用され、さらに1.4nm、1.0nm世代の試作が進んでいます。また、メモリー半導体ではさらなる3D化や新構造の検討が進んでいます。このようなデバイスの開発、製造に向けて、日本の研究機関、大学並びに大学発スタートアップ企業で検査計測技術の開発が行われています。これらの最新動向について多角的に議論します。
※プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
SPring-8は、世界を代表する大型放射光施設であり、極めて高輝度なX線を用いた最先端研究を可能にします。本講演では、SPring-8の非破壊X線解析技術によって半導体デバイス内部のナノ構造やひずみを可視化する取り組みを、得られつつある成果を交えて紹介し、次世代半導体技術革新への応用可能性を展望します。
GaN型半導体フォトカソードによる光電子ビームは、従来電子源を原理から刷新し、光励起による高速応答と高安定性の両立を実現しました。本講演では、電子ビーム方式による非接触電気計測や深い穴底部構造の高精度検出など、次世代半導体製造に向けた応用展開を紹介します。
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