
イベントトップに戻る
参加費(税抜き価格)
| SEMI会員 | 一般 | 学生 | |
|
Early Bird(9/17〜10/31) ※オンライン対象外 |
8,000円 | 16,000円 | 4,000円 |
| Regular Price(11/1〜) | 10,000円 | 20,000円 | 5,000円 |
※講演資料 事前ダウンロードリンク付き
近年の先端半導体デバイスでは、EUV適用の拡大やHigh-NA EUV導入による微細化が進んでいます。また、ロジックではGAA適用やCFET、裏面配線などの新構造・新材料の検討が、メモリでは新構造やさらなる3D化の検討が進んでいます。これらの製造プロセス管理には、従来以上に高精度・高感度かつ高速な計測・検査技術が求められています。さらに、汚染の分析・低減技術や、従来は困難だった材料特性のインラインモニター技術も必要になっています。これら最新の計測・検査・分析技術の動向をご講演いただきます。
※プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
セッションチェア:
堀田 尚二(日立ハイテク)
中村 肇(オントゥイノベージョンジャパン)
浅野 昌史(東京エレクトロン)
山崎 裕一郎(東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー)
※英語社名アルファベット順
半導体デバイスの微細化と構造の複雑化に伴い、高歩留での量産が困難になってきており、ランダム欠陥だけでなくシステマティック欠陥を低減するため、開発段階での計測、検査の重要性が高まっている。IRDSロードマップとともにに、計測・検査・汚染分析技術の最新動向を報告する。
半導体が2nm以下のノードへと進むにつれ、3D構造と新規の材料の使用を加速させ、計測技術は原子スケールで特性を解明する必要があります。今回、デバイスのロードマップを顧み、材料計測の課題に焦点を当て、プロセス制御に必要なSIMS、XPS、ラマン、EDS、インラインおよびハイブリッド手法などの材料計測技術を概説します。LabからFabへの計測技術革新が原子スケールでのデバイス性能と歩留まりを満たす上でいかに重要であるかを示します。
半導体先端ノードプロセスにおけるインライン検査計測技術は、半導体製造技術の中で最もエキサイティングな技術分野の1つです。光学および電子ビーム計測は、情報量、計測の局所性、計測スループットの間にトレードオフの関係があるため、競争力のあるコスト構造でより良いプロセス制御のために適切な技術を準備する必要があります。本講演では、電子ビーム技術の最新情報と進歩についてご紹介します。