Dec.17_15:00_次世代半導体技術２～装置材料編

AI is fueling unprecedented growth and accelerating demand for advanced devices. Its requirements for performance, power, and area scaling are driving memory and logic devices toward 3D architectures. At the heart of this 3D transformation, processing steps must enable taller, perpendicular structures as well as smaller features. Meeting these requirements calls for new deposition and etch capabilities that did not exist before, leading to breakthroughs needed in areas such as atomic-level deposition and etch (ALD and ALE), high-aspect-ratio processing, dry resist EUV patterning, and the adoption of new materials like molybdenum (Mo). As a result, the transition to 3D devices will drive increased intensity of deposition and etch processing. This presentation will explore how deposition and etch are critical to unlocking the future of 3D devices, with increasing velocity required to meet the demands of AI-driven innovation.

生成AIの普及化以降データ産業は進化が一層加速している。材料メーカーにおいても、各企業個々の努力だけでなく、今後は益々企業同士や研究機関との連携により進化に伴う技術課題や社会課題への解決策を提示していかなければならない。本解決に向けた当社におけるデータインフラ材料の開発動向と、サプライチェーンの強化策について紹介する。

富士フイルムは、前工程のみならず後工程までのほぼ全ての製造プロセスにおいて、幅広い製品を提供する「ワンストップソリューション」を展開しています。本講演では製品特長や事業戦略、AI技術を梃にした他社や顧客との共創事例、そして超先端材料による次世代半導体製造への貢献事例をお伝えします。

AI時代の半導体ではパッケージの進化に伴い、グラインディングやダイシング工程のイノベーションが求められる。
当社ではこれら工程を「中工程」と位置づけ、加工品質と歩留まりの向上に貢献している。 
本講演では、先端パッケージにおける当社の技術と自動化への取り組みを紹介する。