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セミナースケジュール
Dec.17_14:30_STSパワーデバイスセッション
STSパワーデバイスセッション
高い期待を集めるWBGパワーデバイス技術の最前線
![STS](https://www.semiconjapan.org/sites/semiconjapan.org/files/styles/webp/public/inline-images/sts-hrzlogo_170.jpg.webp?itok=0YLqjsSa")
2025/12/17(水) | 14:30 - 16:30
南会議室 AB および オンライン（Zoom）
参加費（税抜き価格）
| SEMI会員 | 一般 | 学生 | |
|
Early Bird（9/17〜10/31） ※オンライン対象外 |
8,000円 | 16,000円 | 4,000円 |
| Regular Price（11/1〜） | 10,000円 | 20,000円 | 5,000円 |
※講演資料 事前ダウンロードリンク付き
- お申込み後のキャンセル・変更・および返金は一切お受けしておりません。お申込みの前に必ずこちらの確認事項をご一読ください。
- 対面／オンラインでチケットが分かれております。またオンライン向けEarlyBirdチケットのご用意はございません。お申込みの際にはご注意ください。
- 学生チケットをお申込みの方は、当日会場にて学生用来場者バッジおよび学生証の確認をさせて頂く場合がございます。「学生来場登録」ページを確認の上、お申込みください。
EV市場の影響を受けSiCに少し陰りが見えてきました。しかしながら長期的展望下では依然としてSiCを含むワイドバンドギャップパワー半導体への期待は大きく、GaNに関してはチャージャー分野の拡大に加えてAIサーバーへの本格採用が間近に迫ってきています。Si、SiC、GaNに関してその技術の最前線について講演をいただきます。
※プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
プログラムアジェンダ
セッションチェア：
上本 康裕（インフィニオン テクノロジーズ ジャパン）
中村 孝（大阪大学大学院）
森川 泰宏（アルバック）
※英語社名アルファベット順
教授
Siパワーデバイスの300mmへの大口径化やワイドバンドギャップ半導体デバイスの市場拡大など、大きな動きが同時に起きていることから、パワーデバイスの発展を単純なシナリオで描くことは難しい。これまでのパワーデバイス発展の歴史と現状を整理した上で、今後のパワーデバイスに求められることが予想される技術の展望について講演する。
Senior Principal Engineer
近年のSiC, GaN半導体デバイスに関する技術動向、及び、ルネサスにおける取り組みについて紹介する。
近年、電力変換装置の高効率化および小型化に対する要求が高まる中、パワー半導体デバイスとしてGaN HEMTへの注目が加速している。当社は環境負荷低減に貢献するため、高耐圧領域も対応可能なPSJGaNデバイスの開発に取り組んでいる。本講演では、PSJGaNの特長や、製品化へ向けた展望を紹介する。
生成AIの普及によるデータセンターの高負荷化が進む中、1MW級のラック対応を目指した高電圧直流給電（HVDC）の重要性が高まっています。本講演では、このHVDCソリューションを軸に、再生可能エネルギーとの直流グリッド接続を支える次世代技術SST（半導体変圧器）やSSCB（半導体遮断器）の活用を交えて、進化するデータセンターの電力供給モデルを紹介します。
ご希望の方は、セミナー終了後もそのまま会場にお残りください。