
イベントトップに戻る
参加費(税抜き価格)
| SEMI会員 | 一般 | 学生 | |
| Early Bird(9/17〜10/31) ※オンライン対象外 | 8,000円 | 16,000円 | 1,600円 |
| Regular Price(11/1〜) | 10,000円 | 20,000円 | 2,000円 |
※講演後SEMI University(Eラーニング)の1か月無料視聴リンクをご案内(参加者限定)
半導体製造技術の基本的特徴とCMOSの構造、MOS LSI作製に用いられる個別技術、用途、原理、装置の基本的構造について説明します。また、最先端微細化技術で直面する課題を示します。
※プログラムは都合により変更となる場合がございます。予めご了承ください。
半導体デバイス作製前工程(ウェハー工程)の特徴について説明した後、 デザインルール100nm 台のCMOSの作製フローについて説明する。その後、この作製に使用される、Lithography、Etching や不純物導入などの個別の技術について解説してゆく。その後にCu配線などの多層配線技術の課題とその作製方法について解説する。最後に、半導体前工程についてのまとめを行う。